Новые драйверы 1EDN для IGBT, MOSFET и GaN транзисторов

Новые драйверы 1EDN для IGBT, MOSFET и GaN транзисторов

Компания Infineon выпустила новую линейку драйверов 1EDN для управления затворами любых силовых транзисторов на высоких частотах в схемах высокоэффективных преобразователей мощности. 1EDN7511, 1EDN8511, 1EDN7512 – одноканальные драйверы с большим выходным током (+4А/-8А), малыми задержками прохождения сигнала (19 нс) и очень низким выходным внутренним сопротивлением (0.35 Ом).

Драйверы 1EDN7511B и 1EDN8511B имеют раздельные выходы для включения и выключения транзистора. Такое решение позволяет раздельно регулировать фронт нарастания и спада напряжения управления транзистором. Логические входы драйверов 1EDN совместимы с TTL/CMOS логикой и защищены от обратного напряжения до -10В. Выходы драйверов защищены от обратных токов с помощью встроенных диодов Шоттки. Все драйверы серии имеют защиту от пониженного напряжения (UVLO) с гистерезисом.

Новые драйверы семейства 1EDN отвечает самым высоким требованиям, которые предъявляются к современным системам электропитания. Они сочетают в себе хорошую функциональность, простоту решения и весьма привлекательную цену. Кроме этого, драйверы выполнены в стандартных корпусах, совместимых повыводно со многими решениями других производителей.

Целевые применения:

  • Корректоры коэффициента мощности (PFC);
  • Схемы синхронного выпрямления на вторичной стороне трансформатора (SSR);
  • DC-DC преобразователи;
  • Промышленные источники вторичного электропитания (SMPS);
  • Системы электропривода;
  • Электроинструменты;
  • Аудио усилители класса D;
  • Беспроводные зарядные устройства.

Микросхемы поступят в массовое производство в 4 квартале 2017г. На текущий момент доступны образцы 1EDN7512BXTSA1, 1EDN7512GXTMA1.

Ключевые слова новостей, статей и записей блога